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KMR21000BM-B809

high-density memory of 1 Terabyte

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KMR21000BM-B809

high-density memory of 1 Terabyte

Les commandes de plus de 200 $ sont éligibles pour un cadeau de style chinois en édition limitée.

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Les commandes de plus de 1 000 $ bénéficient d'une dispense des frais d'expédition de 30 $..

Les commandes supérieures à 5 000 $ bénéficient d'une exemption des frais d'expédition et de transaction..

Ces offres sont applicables aux nouveaux clients et aux clients existants et sont valables du 1er janvier 2024 au 31 décembre 2024..

  • Fabricant:

    Samsung

  • Fiche de données:

    KMR21000BM-B809 datasheet

  • Colis/Caisse:

    BGA

  • catégorie de produit:

    Puces IC

  • RoHS Status: Statut RoHS Lead free/RoHS Compliant

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Action:300 PCS

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KMR21000BM-B809 détails du produit

  • High-density memory: Provides a high-density memory of 1 Terabyte, allowing for efficient use of space and improved storage capacity.

  • High-speed performance: Provides a fast read speed of up to 400 megabytes per second and a write speed of up to 200 megabytes per second, ensuring quick and efficient data access.

  • Low power consumption: Consumes minimal power, making it suitable for energy-efficient designs.

  • Small form factor: Available in a small BGA package, making it suitable for space-constrained designs.

  • RoHS compliant: Manufactured in compliance with the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) directive, ensuring the use of environmentally friendly materials.

Applications

  • Solid-state drives (SSDs)

  • Network-attached storage (NAS) devices

  • Data centers and servers

  • Embedded systems

  • Automotive and industrial systems

KMR21000BM-B809 Equivalent Parts

MT29F1T08EMC

H27U1G8F2B


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Direction:

KMR21000BM-B809 is a high-density NAND flash memory module manufactured by Samsung. It is designed to provide high-speed and reliable data storage in a variety of applications.

KMR21000BM-B809

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