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NCP5111

Power MOSFET / IGBT Driver, Single Input, Half-Bridge

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NCP5111

Power MOSFET / IGBT Driver, Single Input, Half-Bridge

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  • Fabricant:

    onsemiconductor

  • Fiche de données:

    NCP5111 datasheet

  • Colis/Caisse:

  • catégorie de produit:

    Circuits intégrés RF

  • RoHS Status:

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NCP5111 Remplacement de pièces

Image et numéro de pièce Fabricants Colis/Caisse catégorie de produit Fiche de données Action Citation
NSIC SOP8 Circuits intégrés RF 1368

NCP5111 détails du produit

  • High Voltage Range: Up to 600V
  • dV/dt Immunity ±50 V/ns
  • Gate Drive Supply Range from 10 V to 20 V
  • High and Low Drive Outputs
  • Output Source / Sink Current Capability 250 mA / 500 mA
  • 3.3 V and 5 V Input Logic Compatible
  • Up to Vcc Swing on Input Pins
  • Matched Propagation Delays Between Both Channels
  • One Input with Internal Fixed Dead Time (650 ns)
  • Under Vcc LockOut (UVLO) for Both Channels
  • Pin to Pin Compatible with Industry Standards

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