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FQPF10N60C

MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

FQPF10N60C
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MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series

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  • Fabricant：

    ON

  • Fiche de données：

    FQPF10N60C datasheet

  • Colis/Caisse：

    TO-220-3

  • catégorie de produit：

    Puces IC

  • RoHS Status：

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FQPF10N60C Remplacement de pièces

Image et numéro de pièce Fabricants Colis/Caisse catégorie de produit Fiche de données Action Citation
Blue Rocket Douilles, oeillets 1702

FQPF10N60C détails du produit

Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, planar stripe, DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to mini-mize on-state resistance, provide superior switching perfor-mance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode.

These devices are well suited for high effi-ciency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology.

Features

● 9.5A, 600 V, Rps(on)= 730 mQ (Max.) @ Vcs= 10 V, lp=4.75 A

● Low Gate Charge (Typ. 44 nC)

● Low Crss (Typ. 18 pF)

● 100% Avalanche Tested

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Absolute Maximum Ratings

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Thermal Characteristics

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