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FDS86242

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

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MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

Les commandes de plus de 200 $ sont éligibles pour un cadeau de style chinois en édition limitée.

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Les commandes supérieures à 5 000 $ bénéficient d'une exemption des frais d'expédition et de transaction..

Ces offres sont applicables aux nouveaux clients et aux clients existants et sont valables du 1er janvier 2024 au 31 décembre 2024..

  • Fabricant：

    ON

  • Fiche de données：

    FDS86242 datasheet

  • Colis/Caisse：

    SOP-8

  • catégorie de produit：

    Circuits intégrés RF

  • RoHS Status： Statut RoHS Lead free/RoHS Compliant

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Action：5000 PCS

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FDS86242 détails du produit

Features

Max rDS(on) = 67 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.1 A

Max rDS(on) = 98 mΩ at VGS = 6 V, ID = 3.3 A 

High performance trench technology for extremely low rDS(on)

High power and current handling capability in a widely used 

surface mount package

100% UIL Tested

RoHS Compliant


General Description

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild 

Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has 

been optimized for rDS(on), switching performance and 

ruggedness.


Applications

DC/DC converters and Off-Line UPS

Distributed Power Architectures and VRMs

Primary Switch for 24V and 48V Systems

High Voltage Synchronous Rectifier


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