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FDS86242

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

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FDS86242

MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC

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Ces offres sont applicables aux nouveaux clients et aux clients existants et sont valables du 1er janvier 2024 au 31 décembre 2024..

  • Fabricant:

    ON

  • Fiche de données:

    FDS86242 datasheet

  • Colis/Caisse:

    SOP-8

  • catégorie de produit:

    Circuits intégrés RF

  • RoHS Status: Statut RoHS Lead free/RoHS Compliant

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Action:5000 PCS

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FDS86242 détails du produit

Features

Max rDS(on) = 67 mΩ at VGS = 10 V, ID = 4.1 A

Max rDS(on) = 98 mΩ at VGS = 6 V, ID = 3.3 A 

High performance trench technology for extremely low rDS(on)

High power and current handling capability in a widely used 

surface mount package

100% UIL Tested

RoHS Compliant


General Description

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild 

Semiconductor‘s advanced Power Trench® process that has 

been optimized for rDS(on), switching performance and 

ruggedness.


Applications

DC/DC converters and Off-Line UPS

Distributed Power Architectures and VRMs

Primary Switch for 24V and 48V Systems

High Voltage Synchronous Rectifier


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