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F1010E

IR Transistors TO-220

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IR Transistors TO-220

Les commandes de plus de 200 $ sont éligibles pour un cadeau de style chinois en édition limitée.

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Les commandes de plus de 1 000 $ bénéficient d'une dispense des frais d'expédition de 30 $..

Les commandes supérieures à 5 000 $ bénéficient d'une exemption des frais d'expédition et de transaction..

Ces offres sont applicables aux nouveaux clients et aux clients existants et sont valables du 1er janvier 2024 au 31 décembre 2024..

  • Fabricant：

    IR

  • Fiche de données：

    F1010E datasheet

  • Colis/Caisse：

    TO-220

  • catégorie de produit：

    Transistors

  • RoHS Status：

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Action：7498 PCS

Notre engagement est de fournir des devis rapides dans les 12 heures. Pour obtenir de l'aide supplémentaire, veuillez nous contacter au sales@censtry.com.

F1010E détails du produit

  • Advanced Process Technology  

  • Ultra Low On-Resistance  

  • Dynamic dv/dt Rating  

  • 175°C Operating Temperature  

  • Fast Switching 

  • Fully Avalanche Rated

Description

Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. 

The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.


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Absolute Maximum Ratings

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