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BSM150GB170DLC

N-channel IGBT -40°C to +150°C

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BSM150GB170DLC

N-channel IGBT -40°C to +150°C

Les commandes de plus de 200 $ sont éligibles pour un cadeau de style chinois en édition limitée.

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Les commandes de plus de 1 000 $ bénéficient d'une dispense des frais d'expédition de 30 $..

Les commandes supérieures à 5 000 $ bénéficient d'une exemption des frais d'expédition et de transaction..

Ces offres sont applicables aux nouveaux clients et aux clients existants et sont valables du 1er janvier 2024 au 31 décembre 2024..

  • Fabricant：

    Infineon

  • Fiche de données：

    BSM150GB170DLC datasheet

  • Colis/Caisse：

    MODULE

  • catégorie de produit：

    Puces IC

  • RoHS Status： Statut RoHS Lead free/RoHS Compliant

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Action：9 PCS

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BSM150GB170DLC détails du produit

  • 150A nominal collector current (Ic) rating.

  • 1700V collector-emitter voltage (Vce) rating.

  • N-channel IGBT with an anti-parallel diode for voltage clamping and freewheeling.

  • Low conduction losses and high switching speed.

  • Low-inductance case with an electrically isolated baseplate.

  • High short circuit withstand capability.

  • Wide operating temperature range (-40°C to +150°C).

Applications

  • Motor drives and inverters for industrial equipment and electric vehicles.

  • Switch-mode power supplies and uninterruptible power supplies (UPS).

  • Renewable energy systems, such as solar inverters and wind power converters.

  • Traction and propulsion systems in rail transportation.

  • High-power electrical systems, such as high-voltage DC (HVDC) transmission.

Equivalent Part Number

FZ1500R17KF6C_B2, manufactured by Infineon Technologies.

2MBI150VB-170-50, manufactured by Fuji Electric.


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Direction：

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) module

BSM150GB170DLC

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