Flash memory is an electronic non-volatile computer memory storage medium that can be electrically erased and reprogrammed. The two main types of flash memory are named after the NAND and NOR logic gates. The individual flash memory cells, consisting of floating-gate MOSFETs , exhibit internal characteristics similar to those of the corresponding gates.A flash memory device typically consists of one or more flash memory chips (each holding many flash memory cells) along with a separate flash memory controller chip.
Numéro d'article | Densité | Organisation. | Vitesse | Rafraîchir | Emballer | Usine | Opération |
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Numéro d'article H8BES0UU0MCR-46M | Densité 4G | Organisation | Vitesse | Rafraîchir | Emballer BGA PB | Usine Hynix | Demande de prix |
Numéro d'article H9DA4GH2JCMMCR-4EM | Densité 4G | Organisation | Vitesse | Rafraîchir | Emballer BGA | Usine Hynix | Demande de prix |
Numéro d'article KBY00U00VM-B450 | Densité 8G | Organisation 64M×32 | Vitesse | Rafraîchir | Emballer BGA | Usine Samsung | Demande de prix |
Numéro d'article KA1000015D-BJTT | Densité 4G | Organisation | Vitesse | Rafraîchir | Emballer BGA | Usine Samsung | Demande de prix |
Numéro d'article KA1000015B-BJTT | Densité 4G | Organisation | Vitesse | Rafraîchir | Emballer BGA | Usine Samsung | Demande de prix |
Numéro d'article KA1000015E-AJTT | Densité 4G | Organisation | Vitesse | Rafraîchir | Emballer BGA | Usine Samsung | Demande de prix |
Numéro d'article K5E1G12ACC-D075 | Densité 1G | Organisation | Vitesse | Rafraîchir | Emballer BGA | Usine Samsung | Demande de prix |
Numéro d'article K521H12ACJ-B050 | Densité 1G | Organisation | Vitesse | Rafraîchir | Emballer BGA | Usine Samsung | Demande de prix |
Numéro d'article MT29C1G12MAACVAKC-5IT | Densité 1G | Organisation 32M×16 | Vitesse | Rafraîchir | Emballer BGA | Usine Micron | Demande de prix |
Numéro d'article MT29C1G12MAADAFAKD-6E IT | Densité 1.5G | Organisation | Vitesse | Rafraîchir | Emballer | Usine Micron | Demande de prix |
Numéro d'article MT29C1G12MAVRAJA-6 IT | Densité 1G | Organisation | Vitesse | Rafraîchir | Emballer BGA | Usine Micron | Demande de prix |
Numéro d'article MT29C1G12MAVTAJA-75 IT | Densité | Organisation 1G×16 | Vitesse | Rafraîchir | Emballer | Usine Micron | Demande de prix |
Numéro d'article MT29C1G12MADRAHP-75IT | Densité | Organisation 64M×16 | Vitesse | Rafraîchir | Emballer | Usine Micron | Demande de prix |
Numéro d'article K5L2833ATA | Densité 128M | Organisation | Vitesse | Rafraîchir | Emballer BGA | Usine Samsung | Demande de prix |
Numéro d'article H8BCZOCHOAMR-5EM-C | Densité 512M | Organisation | Vitesse | Rafraîchir | Emballer | Usine Hynix | Demande de prix |
Numéro d'article HYG0UEG0MF2P | Densité 512M | Organisation | Vitesse | Rafraîchir | Emballer BGA | Usine Hynix | Demande de prix |
Numéro d'article S98WS01GPF0FW003 | Densité 512M | Organisation | Vitesse | Rafraîchir | Emballer BGA | Usine spansion | Demande de prix |
Numéro d'article K5D12571ACF-D090 | Densité 512M | Organisation | Vitesse | Rafraîchir | Emballer | Usine Samsung | Demande de prix |
Numéro d'article H8ACS0CE0ABR | Densité 512M | Organisation | Vitesse | Rafraîchir | Emballer BGA | Usine Hynix | Demande de prix |
Numéro d'article H8BCS0UM0MER-4EM | Densité 4G+2G | Organisation | Vitesse | Rafraîchir | Emballer BGA | Usine Hynix | Demande de prix |